石墨熱場托桿是單晶硅或多晶硅生長設(shè)備（如直拉法Czochralski，簡稱CZ法或區(qū)熔法FZ法）中熱場系統(tǒng)的關(guān)鍵部件，其核心用途與石墨材料的特性及熱場環(huán)境需求密切相關(guān)。支撐與固定坩堝/籽晶桿坩堝支撐：在直拉法單晶硅生長中，石墨托桿通常位于熱場底部，用于支撐裝載多晶硅原料的石英坩堝。通過精確的機(jī)械設(shè)計(jì)，托桿需承受坩堝及熔硅的重量（可達(dá)數(shù)百公斤），同時保持熱場結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性。籽晶桿定位：在區(qū)熔法中，托桿可能用于固定籽晶桿，確保其與多晶硅棒的精確對齊，為單晶生長提供初始晶核。

高效熱傳導(dǎo)與溫度控制均勻熱分布：石墨具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性（約150 W/m·K），托桿通過傳導(dǎo)熱量，幫助熱場實(shí)現(xiàn)梯度溫度分布，滿足晶體生長對溫度場的嚴(yán)格要求（如直拉法中熔硅表面溫度需精確控制在1420°C左右）。隔熱與保溫：托桿結(jié)構(gòu)可能設(shè)計(jì)為中空或復(fù)合層結(jié)構(gòu)，結(jié)合石墨氈等隔熱材料，減少熱量向設(shè)備外部散失，提升熱場能效。

耐高溫與化學(xué)惰性極端環(huán)境耐受：晶體生長需在惰性氣體（如氬氣）保護(hù)下，于1500°C以上高溫進(jìn)行。石墨托桿需承受此高溫而不發(fā)生軟化、變形或分解，確保熱場長期穩(wěn)定運(yùn)行。抗化學(xué)腐蝕：石墨對熔硅、硅蒸氣及雜質(zhì)（如氧、碳）具有化學(xué)惰性，避免在高溫下與硅材料反應(yīng)，防止污染晶體或損壞托桿。